Температурный анализ
При температурном анализе PSpice использует стандартные виды анализа из диалогового окна Simulation Settings при различных температурах.
Количество температурных точек при анализе может быть нулевым или отличным от нуля. Если температурная точка не определена, анализ цепи выполняется при 27 °C. Если в списке температурных точек больше чем один элемент, анализ производится для каждой температурной точки этого списка.
Установка температуры большей, чем максимально допустимая паспортная температура элемента, приводит к перерасчету значений параметров элементов, зависящих от температуры.
Выбор температурного анализа
Задача.
Из списка возможных видов анализа выбрать температурный анализ (Temperature Sweep).
Решение.
РЕ — D3.Analysis ТуреЛАС Sweep/Noise [Time Domain(Transient)], Opti-onsATemperature Sweep, OK4
Настройка и запуск температурного анализа
Задача.
Перед температурным анализом задать его настройку — температуру ’Т’ (или ряд температур T1...TN), при которых производится анализ модели, и начать моделирование.
Решение.
РЕ — D3.Analysis ТуреЛАС Sweep/Noise [Time Domain(Transient)], Opti-onsATemperature Sweep, Run the simulation at temperature ->’T’ [Repeat the simulation for each of the temperatures]-> ’T1...TN’, OK — D44
Замечание.
Температура задается в градусах Цельсия.
Пример температурного анализа
В качестве примера температурного анализа рассмотрим процесс коммутации IGBT-транзистора IRG4PH50UD (со встречно-параллельным диодом) для температур 25, 50, 75, 100 °C. Принципиальная схема и параметры элементов приведены на рис. 4.12. На рис. 4.13 приведены осциллограммы напряжения на транзисторе для вышеприведенных температур. Моделирование показывает, что включение транзистора для данной схемы практически не зависит от температуры, а процесс выключения существенно зависит от рабочей температуры.
Рис. 4.12. Схема для определения влияния температуры на процессы коммутации транзистора
---V(VT1:1. VT1:3) Time
Рис. 4.13. Осциллограммы напряжения на транзисторе при различных рабочих температурах
Авторы: Болотовский Ю.И., Таназлы Г.И.