Параметрический анализ
Параметрический анализ представляет собой многократно повторяемые итерации одного из типов стандартных анализов, когда изменяется глобальный параметр, параметр модели, величина компонента или рабочая температура. При этом за одно обращение к среде достигается эффект, эквивалентный многократному обращению при пошаговом изменении параметра.
При работе в режиме параметрического анализа необходимо вместо значения элемента, величина которого является переменной, указать в фигурных скобках произвольное имя переменной. Кроме этого необходимо обратиться к библиотеке special.olb и извлечь из нее элемент PARAM, войти в свойства этого элемента и добавить свойство (см. п. 3.2.3.2) с именем, идентичным имени переменной, заданным в фигурных скобках. В качестве начального значения этого свойства внести начальное значение параметра.
Выбор параметрического анализа
Задача.
Из списка возможных видов анализа выбрать параметрический анализ (Parametric Sweep).
Решение.
РЕ — D3.Analysis ТуреААС Sweep/Noise [Time Domain(Transient)], Parametric Sweep, OK4
Настройка и запуск параметрического анализа
Задача.
Перед параметрическим анализом задать его настройки: анализируемую переменную ’X’, ее начальное ’УГ и конечное ’Y2’ значения, шкалу (линейную или логарифмическую), приращение ’Z’ и начать моделирование.
Решение.
РЕ — D3.Analysis TypeATime Domain (Transient)[DC Sweep],OptionsAParamet-ric Sweep, {Sweep Variable.Name->’X’ & Sweep Type. Start Value->’Yl’ & Sweep Type. End Value->’Y2’ & Sweep Type. Increment->’Z’ & Linear [LogarithmicADe-cade] [LogarithmicAOctave],OK — D4J,
Замечание.
Диапазон значений переменной может быть заменен набором ее дискретных значений.
Пример параметрического анализа
В качестве примера параметрического анализа рассмотрим влияние сопротивления Rl в цепи затвора на скорость и время задержки включения и выключения IGBT-транзистора типа IRG4PH50UD (со встречно-параллельным
105
Рис. 4.10. Схема для определения влияния времени задержки и крутизны включения и выключения IGBT-транзистора (параметрический анализ)
Рис. 4.11. Осциллограммы напряжения на транзисторе при определении влияния времени задержки и крутизны включения и выключения (параметрический анализ)
диодом). Принципиальная схема включения транзистора и параметры элементов схемы приведены на рис. 4.10. В качестве глобального параметра берется величина сопротивления R1. В фигурных скобках около этого сопротивления указывается имя переменной (в нашем случае {R val}). При обращении к элементу PARAM из библиотеки special.olb задается свойство R val с начальным 106
значением, равным 1. Далее, согласно рецепту 4.6.2, задаются следующие свойства: {Global parameter->’R_val’& Value List->’1, 25, 50’}. На рис. 4.11 приведены осциллограммы напряжения на транзисторе при значениях сопротивления затвора, соответственно 1, 25, 50 Ом. Из осциллограмм видно, что величина сопротивления затвора существенным образом влияет на крутизну и время задержки включения и выключения IGBT-транзистора.
Авторы: Болотовский Ю.И., Таназлы Г.И.
